20余年来，他几乎每天泡在实验室里，周围同事同学对他的行踪了如指掌。赵德刚所从事的半导体光电子材料与器件事业是信息时代的基石。在这个朝阳产业里，他没有向着“高产”的新型材料奔去，而是选择坚守展现出应用价值但研究步入深水区的传统材料——氮化镓，并钻坚研微，克服种种困难，带领团队研制出国内第一支氮化镓基紫外激光器、大功率蓝光激光器。

“我是国家培养出来的‘土著科研人’，用实际行动回报祖国是我的夙愿。作为一名科研人，国家的需要在哪里，我就要把握住那里的机遇。”赵德刚说。他深信，只有扎根于本土、立足于实践、面向国际，可以真正地为国家发展贡献力量。

“要做出蓝光激光器，我们必须生长出高质量的氮化镓材料。”他介绍，由于缺乏匹配的衬底，这一直是全球学者共同面临的问题。电子迁移率高低决定了材料性能，一般来说，电子迁移率越高，材料性能越好。当时国际领域诺贝尔奖获得者中村修二做出了在室温下900平方厘米/伏特·秒电子迁移率的氮化镓材料，这被认为是一个不可超越的人类成就。

然而，当时课题组面临的问题是在能发光但无法激射。这让原本开朗乐观的心情也有些动摇。但赵德剛并未放弃，他通过深入研究发现影响电子迁移率的是散射机制，并掌握减少散射中心数量方法。他提出了独特MOCVD外延技术，最终成功生长出高质量氮化镓材料，在室温下其电子迁移率超过1000平方厘米/伏特·秒，这也是国际上MOCVD外延氮化镓最好的结果。

这只是一个小小突破，但对于解决更大问题而言，还有很长的一段路要走。“碳杂质可能不是坏东西，它们在p型掺杂中的作用值得我们探究。”他继续追问。经过不断探索，他们终于找到了抑制碳杂质方法，使得p型材质达到更优良状态。此举不仅提升了整个行业标准，也启示了其他领域对碳杂质作用进行新的思考。

赵德剛并不满足于已有的成果，他始终关注最新进展和热点问题，如量子阱等前沿科技。他指导学生进行相关研究，即便遇到困难，也从未退缩。在一次实验中，他们发现V型坑对器件性能产生影响，这个结论后来被诺贝尔奖获得者中村修二引用，让他们感到无比荣幸和自豪。

对于自己取得成绩秘诀，他简单地说：“只有两个字——‘实践’”，问题源自实践，有答案也只存在实践之中。而他认为理论学习不能放下，没有深厚理底，看问题很难透彻。这就是他日夜致力于基础理论学习，不断更新知识库，为解决各种复杂科学问题打下坚实基础的一个重要原因。

20多年的时间里，对待科学研究充满热忱与耐心，是赵德剛的一贯风格。他希望更多年轻人能够踏上这条道路，用实际行动回馈社会，为半导体这一前沿技术领域贡献自己的智慧和力量。